SUBNASEKUNDLI DIAPAZONDAGI DIODLI O‘TKIRLATGICHLARDA KO‘CHKI INJEKSIYASI MEXANIZMLARI
Keywords:
Kremniyli diodli kuchaytirgichning ishlashini tahlil qilish uchun elektronlar va kovaklar uchun uzluksizlik tenglamalariniAbstract
Kuchli yuqori kuchlanishli p⁺–n–n⁺ tuzilmalarda teskari kuchlanish tez oshganda (100ps dan kam) diod bazasida zich elektron-kovak plazmasini hosil qiluvchi zarbali ionlanish sodir bo‘ladi. Bunda kuchlanish odatdagi ko‘chki kuchlanishidan deyarli ikki baravar ortiq bo‘lishi mumkin. Diod teshilgandan so‘ng o‘tkazuvchan bo‘lib qoladi, ammo bu holat o‘z-o‘zidan saqlanib qolmaydi, chunki elektron-kovak plazmasi teskari siljigan sohada mavjud. Ilgari plazma tashuvchilar dreyfi tufayli "so‘rilib" ketganda (kuch diodlariga o‘xshash) tok to‘xtaydi deb hisoblangan. Biroq, subnanosekund rejimda bunday emasligi ko‘rsatilgan - dreyf so‘rilishi sodir bo‘lishga ulgurmaydi. Buning o‘rniga diodning teshilgandan keyingi xatti-harakati quyidagicha aniqlanadi: Ikki karra ko‘chkili injeksiya - tashuvchilarning ko‘chkili ko‘payishi o‘tishning ikkala tomonida ham davom etadi. Tokning izotermik shnurlanishi - tok tor sohalarda (shnurlarda) to‘planadi, bu esa impulsning shakli va davomiyligini belgilaydi [1-3]. Shunday qilib, o‘tkazuvchanlik holatining davomiyligini cheklash dreyf jarayonlari bilan emas, balki ichki ko‘chki-injeksion va issiqlik effektlari bilan belgilanadi.
Downloads
References
1.Sze S.M., Ng K.K. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Ed., Wiley, 2006. 2.Грехов И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, в.15, с.950–953. 3. Tagaev M., Abdreymov A. Modern state of physics in the research of microplasma breakdown in silicon p-n junctions and diodes and schottky. 2023 EPRA.IJRD|Journal.DOI:https://doi.org/10.36713/epra.2016. 4.Гусев А.И., Ляпутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г., Цыранов С.Н. ФТП., 2014, т.48, в.8, с.1095–1106. 5.Kardo - Sysoev A.F. Ultra-Wideband Radar Technology, Ed. J.D. Taylor, CRC Press, 2001.
